日本内存制造商 SAIMEMORY 于 2 月 3 日在英特尔举办的" Intel Connection Japan 2026 "作为上初次公开亮相，先容了其业务笃定以及当今正在开拓的新内存结构" ZAM "的空洞。

SAIMEMORY 是一家由软银、英特尔和东京大学共同成就的存储器制造商，成就于 2024 年 12 月，并于 2025 年 6 月运行全面运营。其主要业务是存储器及研究居品的研发、制造和销售。

然则，此前从未公开通知过此事，研究业务细节也一直不为东说念主知。在本次英特尔作为上，一种面向东说念主工智能商场的新式内存结构—— ZAM（Z 字形内存）——精良亮相。

到当今为止，存储器的结构皆是堆叠在平面上的，但由于功率和散热的收场，当今这种结构的 16 层照旧接近其极限，瞻望最大层数将在 20 层傍边。

另一方面，ZAM 的定名源于 Z 轴，这意味着芯片是垂直堆叠的。与传统 DRAM 比拟，这种操办不错竣事更低的功耗、更大的容量和更宽的带宽。通过垂直堆叠芯片，每个芯片产生的热量不错均匀地进取扩散，从而有望处理传统平面堆叠形势中存在的散热问题。

SAIMEMORY 总裁兼首席现实官山口秀也暗意：" SAIMEMORY 中的‘ SAI ’源自汉字‘天才’或‘天资’，咱们将向寰球推论这一理念（趁机一提，有东说念主说它可能是 Softbank AI Memory，这天然亦然一种可能性）。在刻下东说念主工智能蕃昌发展的环境下，咱们瞻望变革将卓绝第一产业和第二产业的限制，这同期亦然一个机遇。咱们不错为这一变革时代提供处理决议。"

该公司将其手艺定位为"打破内存散热和性能瓶颈"，竣事了低功耗、大容量和宽带宽。为竣事这一成见，该公司暗意已建立浩大的互助伙伴关系，重心先容了与软银和英特尔的互助，以及在日本和国外的各项投资和供应链。

从研究而已形态不错看到，该形态将得回先进存储手艺 ( AMT ) 研发筹商的扶持，该筹商由好意思国动力部和国度核安全看管局通过桑迪亚国度实验室、劳伦斯利弗莫尔国度实验室和洛斯阿拉莫斯国度实验室进行看管。

英特尔院士兼英特尔政府手艺首席手艺官约书亚 · 弗莱曼博士暗意："英特尔的下一代 DRAM 键合（NGDB）筹商展示了一种全新的内存架构和改进性的拼装纪律，可显赫栽种 DRAM 性能、缩短功耗并优化内存老本。圭臬内存架构无法忻悦东说念主工智能的需求，星空app注册因此 NGDB 界说了一种全新的纪律，以加快咱们迈向下一个十年。"

2025 年 6 月初次有报说念称，英特尔和软银互助开拓了一种堆叠式 DRAM（动态立时存取存储器）来替代 HBM（高带宽存储器），公司纪录暴露 Saimemory 公司于 2024 年 12 月初次成就。

那时的报说念称，该形态瞻望耗资 7000 万好意思元，其中软银筹商投资 2100 万好意思元。日本政府瞻望也将提供资金，理研谈论所和新光电气也在研究投资。今天（2 月 2 日）发布的声明中并未败露任何财务细节或潜在投资。

通过这次互助，SAIMEMORY 将哄骗英特尔的手艺专长，鼓吹下一代存储架构和制造手艺的谈论与开拓。这包括英特尔在好意思国动力部扶持下鼓吹的先进存储手艺（AMT）形态所建立的下一代存储基础手艺，以及通过下一代 DRAM 键合（NGDB）筹商所展现的手艺专长。

ZAM 的开拓将哄骗英特尔在 DRAM 界限的手艺，但软银发言东说念主暗意，ZAM "就像是 DRAM 的升级版，将摄取全新的手艺"。ZAM 这个名字指的是" Z 轴"。固然手艺细节尚未公布，但该发言东说念主暗意，"咱们正在研究摄取垂直堆叠结构。"

SAIMEMORY 但愿通过 ZAM 手艺，在东说念主工智能数据中心等界限竣事大容量、宽带数据处理、提高处感性能并缩短功耗。软银将在 2027 财年原型机研制生效之前，投资约 30 亿日元。

软银发言东说念主暗意："咱们与英特尔已调换了一段时候，但通过精良签署这份互助契约，咱们将进一步深远两边的互助关系。"该公司筹商明天与英特尔除外的其他公司和谈论机构互助，以加快研发进度。

这次公密告布之际，业界正致力支吾存储和内存硬件穷乏的问题。本年通知的好多东说念主工智能数据中心扶植形态的规模和范围似乎让商场措手不足，导致容量弥留。

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2025 年 1 月，《华尔街 · 日报》报说念称，TrendForce 的数据暴露，2026 年公共坐蓐的内存中，高达 70% 将被数据中心花消。

存储芯片制造商三星和 SK 海力士也皆教学称，存储芯片穷乏的情况可能会捏续到 2027 年，而跟着产能越来越多地分派给东说念主工智能基础才能形态，消费电子居品可能会受到捏续穷乏的影响最大。