2月12日，电子发布声明告示，已启动第六代高带宽内存（HBM）芯片HBM4的大界限量产，并已向客户录用商用居品。

在制造工艺上，三星这次罗致了1c工艺（第六代10纳米级DRAM时候）制造DRAM单位芯片，基板芯片则罗致4纳米逻辑制程。三星扩张副总裁兼存储器诞生部门负责东说念主Sang Joon Hwang示意：\"三星未沿用传统的熟识联想，而是神勇罗致了开始进的制程工艺。\"

性能参数方面，三星HBM4的数据措置速率达到每秒11.7 Gbps，超出聚拢电子器件工程委员会（JEDEC）规章的8 Gbps模范约46%，较上一代HBM3E最高9.6 Gbps的引脚速率提高约22%。单堆栈总内存带宽最高可达每秒3.3 TB，较HBM3E提高2.7倍。在能效与散热方面，HBM4比拟前代居品功耗兑现提高40%，星空app下载散热智力提高30%。

据三星电子首席时候官Song Jai-hyuk泄露，HBM4的坐蓐良率\"近况相称好\"，客户对芯片性能\"相称舒坦\"。

把柄此前报说念，预测将在3月16日至19日举行的GTC 2026大会上，展示搭载三星HBM4的下一代东说念主工智能策画平台Vera Rubin。三星虽未公布具体客户称呼，但该居品已被证实用于英伟达下一代AI平台。

在后续居品筹画上，三星示意HBM4E样品预测于2026年下半年运转提供，定制版HBM样品将于2027年把柄客户规格不时录用。三星电子预测，2026年HBM居品销售界限将较2025年增长三倍以上，并正积极引申HBM4产能。

市集有风险，投资需严慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不组成个东说念主投资提倡。

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本文源自：市集资讯

作家：不雅察君